Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
飯田 健*; 富岡 雄一*; 吉本 公博*; 緑川 正彦*; 塚田 裕之*; 折原 操*; 土方 泰斗*; 矢口 裕之*; 吉川 正人; 伊藤 久義; et al.
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 41(2A), p.800 - 804, 2002/02
被引用回数：15 パーセンタイル：52.26(Physics, Applied)SiCは高周波、高パワー,高温,放射線照射下等、過酷な環境下で動作する素子用材料として優れた物性を持つ。また熱酸化で表面にSiO
層が形成されMOS構造が作製できるが、酸化層/SiC界面には欠陥が多いため、物性値から期待される性能が得られない。そこで本研究では、分光エリプソメーター(SE)を用いて、その界面欠陥の発生原因を光学的に追究した。試料には、SiC基板を乾燥酸化して得た60nm程度の酸化膜を用いた。これをHF溶液を用いて斜めにエッチングし、酸化膜の光学的周波数分散特性を、膜厚をパラメータとして測定した。得られた値は、セルマイヤーの式を用いたカーブフィッティング法により、屈折率に変換した。その結果、SiC上の酸化層の見かけの屈折率は、Si酸化膜より小さくなった。また、屈折率は酸化膜厚の減少と共にも小さくなり、膜厚が1nm程度では1にまで近づいた。この屈折率の膜厚依存性は、酸化層がSiO層と高屈折率界面層から成ると仮定することで説明できる。このことから、酸化層/SiC界面には屈折率の高い界面中間層が存在し、それらが界面欠陥を発生させていると推定された。
interfaces by optical and electrical measurements石田 夕起*; 高橋 徹夫*; 奥村 元*; 直本 保*; 土田 秀和*; 吉川 正人; 富岡 雄一*; 緑川 正彦*; 土方 泰斗*; 吉田 貞史*
Materials Science Forum, 389-393, p.1013 - 1016, 2002/00
被引用回数：4 パーセンタイル：20.3(Materials Science, Multidisciplinary)1200
の乾燥酸素中で作製した酸化膜と4H-SiC基板界面の光学並びに電気特性の関連性を、容量-電圧(CV)、分光エリプソ(SE)、フーリエ変換赤外(FTIR)測定法を用いて追求した。CV特性からは、1200の乾燥酸素中で作製した酸化膜内部に多量の界面準位と負電荷が存在することがわかった。同じ酸化膜をSEで測定したところ、界面近傍に極めて屈折率の高い界面中間層が存在することが明らかとなった。同じ部位をFTIRで測定すると、溶融石英に比べて結合角の小さいSi-O-Si結合が多数存在する可能性が示唆された。これらの結果から、金属/酸化膜/半導体(MOS)構造のCV特性を大きく変化させている原因は界面中間層にあり、界面中間層の正体は、不完全な酸化で生ずるSuboxide層であると結論された。
吉田 英俊; 内藤 磨; 波多江 仰紀; 長島 章
Review of Scientific Instruments, 68(1), p.256 - 257, 1997/01
被引用回数：10 パーセンタイル：62(Instruments & Instrumentation)炉心プラズマの可視分光計測で解決すべき最大の課題の一つとして、波長透過率の低下を招く観測窓表面での蒸着膜形成がある。トムソン散乱計測では散乱スペクトルがこの影響を受け、測定対象である電子温度と電子密度を系統的に低めに評価する問題が発生する。この誤差は炉心プラズマの電子温度が高くなるほど増大する。本報告ではこの課題に対しどの装置にも適用可能な一般的な解決策として、異なる二つの手法の組合わせを開発、提案しJT-60トムソン散乱測定装置で実証したそれらの有効性について述べる。第1に、蒸着膜の膜厚と波長透過率から回帰的に求めた減衰係数を用いて観測窓透過率を真空容器に取付けたまま精度良く推定できる手法を確立した。第2に、同じく容器に付けた状態で窓洗浄が可能なレーザブローオフ法の有効性を広範かつ系統的に実証した。また本組合わせ法による将来的な効率的運用についても言及した。
